intel下一代可扩展至强代号sapphire rapids，将在明年正式发布，继续采用10nm工艺，但会全面升级架构，核心数也是大幅增加。
早先有消息称，sapphire rapids最多集成60个核心，内部分成四组，每组15个，类似amd的小芯片设计，但只会开启56个，后来还有说法称，最多会做到80个核心。
现在，多次曝料sapphire rapids规格、实物的网友yuuki_ans首次公布了它的内核照，是四个小芯片之一，可以明显看到确实有15个核心，分成三排布局，但其中一个会被屏蔽掉。
另据透露，这颗样品还是es0阶段的早期工程样品，频率仅有1.3ghz，同时集成了64gb hbm2e内存。
至于为何出厂就屏蔽4个核心，显然是出于保证良品率、供货量的考虑，后续后期成熟了不排除满血全开的可能。
看起来，10nm superfin增强版工艺，也还是不十分给力啊。
根据目前掌握的情报，sapphire rapids将采用10nm superfin加强版工艺制造，首发支持ddr5内存，最高八通道、4800mhz频率，同时首次集成hbm2高带宽内存，最多64gb，并支持下一代傲腾持久内存，随机访问带宽提升多达2.6倍。
技术方面，首发支持pcie 5.0，最多80条通道，多路互连通道升级为四条upi 2.0，每路带宽16gt/s，还支持cxl 1.1高速互连总线，也可以通过pcie 5.0、cxl连接独立的fpga加速器，指令集方面支持int8、bfloat16精度的amx、tmiul。
功耗也相当惊人，tdp上限从270w提高到350w，据说还能解锁400w。
编辑：齐少恒
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