很多人难以区分nand闪存的种类，于是三星半导体官方便发文进行了一番科普。
三星半导体官方称根据数据的存储方式，nand闪存可以分为四种类型: slc (single level cell，单层单元)、mlc (multi level cell，多层单元)、tlc (triple level cell，三层单元)和qlc(quadra levelcell，四层单元)。
为便于了解nand闪存的类型和特点，我们首先需要了解存储的数据以及存储数据的空间“单元”(cell)。如果将数据视为“人”,那么单元就是“半导体中的小房间”意即数据存储在单元里。
slc是在一个单元里存储一个数据，数据以“1"或“0”的形式进行存储，操作简单，错误少速度快，相对稳定。
mlc是在一个单元里存储两个数据，数据存储形式为“00、01、10、11”，价格相对便宜，但数据处理速度要慢一些。
tlc在一个单元中存储三个数据，而qlc在一个单元中存储四个数据。虽然可以存储大量数据，但由于存储在一个单元中的数据量很大，因此与slc和mlc相比，它们的数据处理速度会更慢一些。
编辑：齐少恒
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